МДТ7-3-16-4 SCR-module DATASHEET

DATASHEET SEARCH FORM

МДТ7-3-16-4 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER SYMBOL VALUES UNITS
Type SCR-module
Maximum repetitive peak and off-state voltage VDRM 400 V
Maximum average on-state current IT(AVR) 16 A
Maximum RMS on-state current IT(RMS) 25 A
Non repetitive surge peak on-state current ITSM 200 A
Critical repetitive rate of rise of on-state current dI/dt 100 A/µs
Critical rate of rise of off-state voltage dV/dt 1000 V/µs
Maximum operating junction and storage temperature range Tstg, Tj -40..125 °C
Junction to case thermal resistance RTH(j-c) 1.6 K/W
Triggering gate voltage VGT 2.5 V
Peak on-state voltage drop VTM 1.8 V
Triggering gate current IGT 60 mA
Holding current IH 70 mA

МДТ7-3-16-4 Replacements

SYMBOL VALUES UNITS
Type
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Package

Replacement Search

МДТ7-3-16-4 Datasheet. Page #1

МДТ7-3-16-4
 datasheet

Page #2

МДТ7-3-16-4
 datasheet #2

Description

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МТТ7/3, МТД7/3 и МДТ7/3 Общие сведения Модули МТТ7/3, МТД7/3, МДТ7/3 состоят из двух полупроводниковых структур (тиристорных, диодных) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Представлены следующими типо- исполнениями: